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高通联电研发18纳米,中芯国际最受伤

本文作者:柏铭007 2015-05-21 16:24
导语:近日传出高通与联电合作研发18nm工艺,以期通过借助18nm工艺的性价比优势应对联发科和大陆芯片企业展讯的竞争,这个同样会搅动半导体代工市场。

近日传出高通与联电合作研发18nm工艺,以期通过借助18nm工艺的性价比优势应对联发科和大陆芯片企业展讯的竞争,这个同样会搅动半导体代工市场。

高通联电研发18纳米,中芯国际最受伤

 现有市场格局

据Gartner的数据,2014年的半导体制造厂营收前五名是台积电、联电、格罗方德、三星和中芯国际。同比增长最快的是台积电,其次是联电,再次是三星,而格罗方德和中芯国际同比下滑。

 在技术上,目前三星领先,其14nm FinFET工艺已经量产,正是凭借这自己领先的工艺其推出的Exynos7420处理器一举超过高通成为目前全球性能最强的手机处理器。台积电的16nm FinFET工艺在与三星的竞争中落后,预期要到今年下半年量产,因为工艺量产的落后据说苹果和高通都将其最新的芯片交由三星制造。无疑三星最有机会挑战台积电,即使目前三星在半导体制造市场上份额远落后于台积电!

 联电去年初量产28nm,正是凭借28nm工艺其本来被三星追近的营收又开始拉远,并在去年赢得仅次于台积电的增长率,其增长速度是三星的两倍,不过其生产工艺比不上三星和台积电。

 格罗方德从AMD拆分出来后,一直都没有盈利过,2011年据说因为搞砸AMD的28nm APU导致AMD部分转单台积电,众多因素造成它虽然有阿联酉阿布扎比政府的支持也难以支撑,其前景越来越不明朗。

 中芯国际是大陆最大的半导体制造厂,其目前成熟的生产工艺是40nm,是半导体制造厂前五中技术最落后的,因为大陆对高通的反垄断调查去年高通宣布与中芯国际设计28nm工艺,去年底开始试产但可惜的是至今没有量产的消息。

高通联电研发18纳米,中芯国际最受伤

 高通与联电合作18nm对中芯国际不利

三星的工艺领先台积电将让双方成为直接竞争对手,格罗方德逐渐衰落,中芯国际就成为联电的直接竞争对手。

 中国是全球最大的手机制造国,有近80%的手机在中国制造,中国进口芯片花费的外汇超过石油,去年中国建立了近200亿美元的集成电路基金推动中国芯片产业的发展,中芯国际作为大陆最大的半导体制造厂自然是政府的扶持对象之一。

 联电早就看到大陆市场的前景,在2003年就支持和舰科技在苏州建厂,正是迫于和舰科技的竞争台积电其后也紧跟着在上海建立半导体制造厂,去年底联电获得台湾当局的批准在厦门建设12英寸晶圆厂,联电投资13.5亿美元,这个晶圆厂的总投资将达到380亿人民币。

 去年底在高通与中芯国际合作推进28nm,如果这一合作顺利推进快速提升中芯国际的制造工艺,让中芯国际在工艺上与联电同步的话那当然是对联电造成重大威胁,可惜的是中芯国际的28nm工艺却未能顺利量产。

 如今传出高通与联电合作推进18nm工艺制程,18nm工艺相比台积电的16nm和三星的14nm工艺有更高的性价比,却又比台积电的20nm更先进,中芯国际的28nm量产后联电的28nm成本已经大幅下降并且可以凭借领先18nm抢得技术优势。由于台湾当局禁止联电将最先进的工艺制程转进大陆市场,在推进18nm工艺量产后,联电同时可以将已经落后的28nm转进大陆市场。

 2014年一季度中芯国际来自大陆市场的营收达到40.6%,第四季度提升到45.6%,大陆市场对中芯国际越来越重要。联电如果能在技术上取得对中芯国际的竞争优势,并与中芯国际一样拥有就近服务市场的便利,将会直接威胁中芯国际的发展,令其在去年本就下滑的营收面临更多经营困难。

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