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英特尔挤牙膏:下一代酷睿仍采用14nm工艺,称自家14nm等于三星10nm

本文作者:周翔 2017-02-13 00:06
导语:根据英特尔高级院士Mark Bohr的说法,英特尔10nm工艺的栅极间距是54nm,是同时代10nm最强。

英特尔挤牙膏:下一代酷睿仍采用14nm工艺,称自家14nm等于三星10nm

雷锋网(公众号:雷锋网)消息:2月10日,英特尔在投资者会议上正式发布了第8代酷睿处理器,将于今年下半年亮相。遗憾的是,第8代酷睿处理器并没有采用传闻中的10nm工艺,而是依旧沿用14nm工艺,英特尔称之为“Advancing Moore's Law on 14 nm”。虽然采用的仍然是老工艺,但是英特尔表示,第8代酷睿的性能将比Kaby Lake提升15%。

据悉,数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上,CEO柯再奇曾表示,搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。

虽然三星、台积电都已经研发出10nm工艺,并且成功量产。但是英特尔表示自己的14nm工艺和竞争对手的10nm工艺同样优秀,领先对手整整三年。

英特尔挤牙膏:下一代酷睿仍采用14nm工艺,称自家14nm等于三星10nm

根据英特尔在投资者会议上公开的PPT,其2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及台积电的10nm工艺看齐。

此外,根据英特尔高级院士Mark Bohr的说法,英特尔10nm工艺的栅极间距是54nm,是同时代10nm最强。

据悉,Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果传言属实,那么英特尔的10nm是否能够对标三星和台积电的7nm工艺呢?

via. anadtech & 快科技

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